AGP (Accelerated Graphics Port):
Von Intel entwickelte Schnittstelle, die High-Speed-Grafik ermöglicht. Grafikdaten werden nicht im Videospeicher zwischengespeichert, sondern direkt zwischen dem Grafikcontroller und dem Arbeitsspeicher des Computers übertragen.
Arbeitsspeicherbus:
Bus vom Prozessor zu den Steckplätzen für Speichererweiterungen.
Aktualisieren:
Beim Aktualisieren werden Daten, die im DRAM gespeichert sind, auf den neuesten Stand gebracht. Die Aktualisierung elektrischer Zellen auf DRAM-Komponenten ähnelt dem Wiederaufladen von Akkus. Unterschiedliche DRAM-Komponenten erfordern unterschiedliche Aktualisierungsmethoden.
Auslagerung:
Nutzung eines Teils der Festplatte als Arbeitsspeicher, wenn der physische Arbeitsspeicher vollständig belegt ist. Siehe auch "Virtueller Speicher".
Aktualisierungsrate:
Anzahl der DRAM-Komponentenzeilen, die aktualisiert werden müssen. Häufige Aktualisierungsraten sind 2 K, 4 K und 8 K.
ANSI (American National Standards Institute):
US-amerikanische Organisation, die sich mit dem Festlegen von IT-Normen befasst.
ASCII (American Standard Code for Information Interchange):
Methode zur Codierung von Text als Binärwerte. Das ASCII-Codierungssystem umfasst 256 Kombinationen von 7-Bit- oder 8-Bit-Binärzahlen, mit denen alle Tasten auf der Tastatur dargestellt werden können.
BSB (Backside Bus):
Datenpfad zwischen dem Prozessor und dem L2-Cache.
Bauform:
Größe, Konfiguration und andere technische Daten, mit denen die Hardware beschrieben wird. Beispiele für Speicherbauweisen: SIMM, DIMM, RIMM, 30-Pin, 72-Pin, 168-Pin.
Bandbreite:
Menge an Daten, die pro Sekunde über elektronische Leitungen (z. B. über einen Bus) bewegt werden. Die Bandbreite wird in der Regel in Bit pro Sekunde, Byte pro Sekunde oder Schwingungen pro Sekunde (Hertz) gemessen.
Bank:
Siehe "Speicherbank".
Bankschema:
Methode zur Darstellung von Speicherkonfigurationen in Form eines Diagramms. Das Bankschema besteht aus Zeilen und/oder Spalten für die Speichersteckplätze auf einer Platine im Computer. Zeilen stehen für unabhängige Steckplätze, Spalten dagegen für Speicherbänke.
Base Rambus:
Erste Generation der Rambus-Technologie, die im Jahr 1995 auf den Markt kam.
BGA (Ball Grid Array):
Chip-Package mit kleinen Lötpunkten an der Unterseite für die Oberflächenmontage. Das BGA sorgt für eine kleinere Package-Größe, eine bessere Wärmeableitung und eine größere Moduldichte.
Binär:
Ein Zahlensystem, bei dem Daten mit Kombinationen aus den Ziffern 0 und 1 dargestellt werden. Auch als Dualsystem oder Zweiersystem bezeichnet.
BIOS (Basic Input-Output System):
Startroutinen, mit denen der Computer auf den Betrieb vorbereitet wird.
Bit:
Kleinste Einheit an Daten, die ein Computer verarbeitet. Ein Bit kann den Wert 1 oder 0 annehmen.
BEDO (Burst EDO RAM):
EDO-Speicher, der vier Speicheradressen in einem Burst verarbeiten kann. Die Bus-Geschwindigkeiten reichen von 50 MHz bis 66 MHz (zum Vergleich: 33 MHz bei EDO, 25 MHz beim Fast Page Mode).
Burst-Modus:
Hochgeschwindigkeitsübertragung eines Datenblocks (Serie aufeinander folgender Adressen), wenn der Prozessor eine einzige Adresse anfordert.
Bus:
Datenpfad in einem Computer, der aus verschiedenen parallelen Leitungen besteht, an die der Prozessor, der Arbeitsspeicher und alle Ein-/Ausgabegeräte angeschlossen sind.
Bus-Zyklus:
Einzelne Transaktion zwischen dem Arbeitsspeicher und dem Prozessor.
Byte:
Datenmenge mit acht Bit. Das Byte ist die grundlegende Einheit bei der Datenverarbeitung. Nahezu alle technischen Daten und Angaben zur Computerleistung werden in Byte oder in einem Vielfachen davon ausgedrückt. Siehe "Kilobyte" und "Megabyte".
Cache-Speicher:
Kleiner Hochgeschwindigkeitsspeicher (in der Regel max. 1 MB), der sich auf oder nahe dem Prozessor befindet. Der Cache-Speicher versorgt den Prozessor mit den am häufigsten verwendeten Daten und Anweisungen. L1-Cache (primärer Cache) ist der Cache, der sich am nahesten beim Prozessor befindet. L2-Cache (sekundärer Cache) ist der Cache, der sich am zweitnahesten beim Prozessor befindet; dieser Cache liegt in der Regel auf der Hauptplatine.
CAS (Column Address Strobe):
Speicherchipsignal, bei dem die Spaltenadresse einer bestimmten Position in einer Zeilen/Spalten-Matrix verlinkt wird.
CAS Latency:
Verhältnis der Spaltenzugriffszeit und der Taktzeit. CAS Latency 2 (CL2) bietet eine leichte Leistungssteigerung gegenüber CAS Latency 3 (CL3).
ccNUMA (Cache-Coherent, Non-uniform Memory Access):
Flexible Architektur, bei der modulare, kostengünstige Komponenten eingesetzt werden und die für das multidimensionale Skalierungspotenzial bei High-End-Servern sorgt.
Chipsatz:
Microchips, die den Prozessor unterstützen. Der Chipsatz enthält in der Regel mehrere Controller, mit denen gesteuert wird, wie die Daten zwischen dem Prozessor und anderen Komponenten transportiert werden.
CSP (Chip-Scale Package):
Flache Chipbauweise, bei der die elektrischen Verbindungen in der Regel über ein Ball-Grid-Array (BGA) hergestellt werden. Die CSP-Bauweise kommt bei RDRAM und Flash-Speicher zum Einsatz.
CompactFlash:
Kleine, leichte Bauform für Wechsel-Speicherkarten. CompactFlash-Speicherkarten sind robust, arbeiten bei niedrigen Spannungen und erhalten die Daten auch dann, wenn die Stromversorgung ausgeschaltet ist. Einsatzgebiete: Digitalkameras, Mobiltelefone, Drucker, Handhelds, Pager, Audiorecorder usw.
Composite:
Ein Begriff von Apple Computer, Inc., für ein Speichermodul, das eine ältere Technologie nutzte und eine größere Anzahl von Chips (allerdings mit niedrigerer Dichte) enthielt.
Concurrent Rambus:
Zweite Generation der Rambus-Technologie. Concurrent Rambus wurde in grafikorientierten Computern, Digitalfernsehern und Videospielgeräten eingesetzt (z. B. seit 1997 im Nintendo 64).
C-RIMM (Continuity RIMM):
Direct Rambus-Speichermodul, das keine Speicherchips enthält. C-RIMM bietet einen dauerhaften Kanal für das Signal. In einem Direct Rambus-System müssen offene Anschlüsse mit C-RIMMs belegt werden.
CPU (Central Processing Unit):
Computerchip, der für die Interpretation der Befehle und die Ausführung primär zuständig ist. Die CPU wird auch als Prozessor oder Mikroprozessor bezeichnet.
DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory):
Neueste Generation der SDRAM-Technologie. Die Datenbits werden bei der ab- und aufsteigenden Flanke des Taktsignals übertragen, so dass eine zweimal so große Bandbreite wie bei herkömmlichem SDRAM erzielt wird. Mit DDR-SDRAM wird die Taktfrequenz des Speichers verdoppelt, ohne die Taktrate zu erhöhen.
DIMM (Dual In-line Memory Module):
Leiterplatte mit Goldkontakten und Speicherbausteinen. Ein DIMM entspricht weitgehend einem SIMM, jedoch mit einem wichtigen Unterschied: Die Metallleitungen auf beiden Seiten eines SIMMs sind elektrisch miteinander verbunden, die Leitungen auf den beiden Seiten eines DIMMs sind dagegen elektrisch voneinander unabhängig.
Direct Rambus:
Dritte Generation der Rambus-Technologie, die eine völlig neue DRAM-Architektur für Hochleistungscomputer bietet. Die Daten werden mit Geschwindigkeiten bis 800 MHz über einen schmalen 16-Bit-Kanal übertragen; das aktuelle SDRAM arbeitet dagegen mit 100 MHz auf einem breiten 64-Bit-Bus.
DIP (Dual In-line Package):
Packaging von DRAM-Komponenten. DIPs können in Steckplätze platziert oder auch dauerhaft in Öffnungen auf der Hauptplatine eingelötet werden. Das DIP-Package erfreute sich größter Beliebtheit, als der Arbeitsspeicher noch direkt auf der Hauptplatine eingebaut wurde.
DRAM (Dynamic Random-Access Memory):
Häufigste Bauweise des Arbeitsspeichers. DRAM kann Daten nur über kurze Zeit zwischenspeichern. Um die Daten zu erhalten, muss der DRAM in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden. Ohne Aktualisierung der Zelle gehen die Daten verloren.
Dual-Banked:
Speichermodul mit zwei Bänken.
Dual-Channel:
Gemäß der Dual-Channel-Ausführungen von Systemplatinen werden die Speichermodule auf zwei separaten Kanälen eingebaut, die jeweils einen eigenen Zugriffsweg zum Speicher-Controller besitzen. Die Ausführung mit zwei Speicherkanälen verdoppelt die Spitzenbandbreite einfacher Speicherkanäle. Die besten Ergebnisse werden erzielt, wenn ein paarweise konfiguriertes Speicher-Kit verwendet wird, mit dem sichergestellt ist, dass die Module identisch sind.
DIB (Dual Independent Bus):
Von Intel entwickelte Bus-Architektur, bei der zwei separate Busse (Vorder- und Rückseite) auf den Prozessor zugreifen, so dass eine größere Bandbreite entsteht. Computer mit Pentium II Prozessor sind mit DIBs ausgestattet.
ECC (Error Correction Code):
Methode zum Prüfen der Integrität von Daten im DRAM. Der ECC ermöglicht eine eingehendere Fehlererkennung als die Parität. Mit dem ECC können Multi-Bit-Fehler erkannt sowie Ein-Bit-Fehler erkannt und korrigiert werden.
EDO (Extended Data-Out):
DRAM-Technologie, die den Lesezyklus zwischen Arbeitsspeicher und Prozessor verkürzt. Bei Computern mit EDO-Unterstützung kann der Prozessor um 10 bis 20 Prozent schneller auf den Arbeitsspeicher zugreifen als auf einen vergleichbaren Arbeitsspeicher mit Fast Page Mode.
EDRAM (Enhanced DRAM):
Von Enhanced Memory Systems, Inc., entwickelter DRAM, der eine kleine Menge an SRAM enthält.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory):
Speicherchip, der den Dateninhalt auch dann erhält, wenn die Stromversorgung ausgeschaltet ist. EEPROM kann im Computer selbst oder auch extern gelöscht und neu programmiert werden.
EISA (Extended ISA):
Eine Bus-Architektur, die den 16-Bit-ISA-Bus auf 32 Bit erweitert. EISA arbeitet mit 8 MHz und weist eine Spitzenrate von 33 MB pro Sekunde für die Datenübertragung auf. EISA wurde 1988 als Open Source-Alternative zum proprietären Micro Channel-Bus von IBM eingeführt.
EOS (ECC on SIMM):
Technologie zur Prüfung der Datenintegrität von IBM, bei der sich die ECC-Datenintegritätsprüfungen auf einem SIMM befinden.
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory):
Programmierbarer und wiederverwendbarer Chip, der die Inhalte erhält, bis sie unter ultraviolettem Licht gelöscht werden. EPROMs werden mit speziellen Geräten gelöscht und neu programmiert.
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM):
SDRAM-Typ, der von Enhanced Memory Systems, Inc., entwickelt wurde. ESDRAM ersetzt das kostspielige SRAM in integrierten Systemen und bietet vergleichbare Geschwindigkeiten bei niedrigerem Stromverbrauch und niedrigeren Kosten.
FCRAM (Fast-Cycle RAM):
FCRAM ist eine Speichertechnologie, die derzeit von Toshiba und Fujitsu entwickelt wird. FCRAM ist nicht für den Arbeitsspeicher im Computer vorgesehen, sondern soll in speziellen Einsatzgebieten verwendet werden, z. B. bei High-End-Servern, Druckern und Telekommunikations-Vermittlungssystemen.
Fast Page Mode:
Frühe Form des DRAM. Der Vorteil des Fast Page Mode im Vergleich zu bisherigen Page Mode-Speichertechnologien lag im schnelleren Zugriff auf Daten in derselben Zeile.
Flash-Speicher:
Nichtflüchtiger, wiederbeschreibbarer Halbleiterspeicher, der wie eine Kombination aus Arbeitsspeicher und Festplatte funktioniert. Flash-Speicher ist robust, arbeitet bei niedrigen Spannungen und erhält die Daten auch dann, wenn die Stromversorgung ausgeschaltet ist. Einsatzgebiete für Flash-Speicher-Karten: Digitalkameras, Mobiltelefone, Drucker, Handhelds, Pager, Audiorecorder usw.
FSB (Front Side Bus):
Datenpfad zwischen dem Prozessor und dem Arbeitsspeicher (RAM).
Gigabit:
Ungefähr 1 Milliarde Bit; ganz genau 1 Bit × 1.024 3 (1.073.741.824 Bits).
Gigabyte:
Ungefähr 1 Milliarde Byte; ganz genau 1 Byte × 1.024 3 (1.073.741.824 Byte).
Gerade Parität:
Datenintegritätsprüfung, bei der mit dem Paritäts-Bit überprüft wird, ob eine gerade Anzahl von Einsen vorliegt.
Hauptplatine:
Auch als Logikplatine, Platine oder Computerplatine bezeichnet. Die Hauptplatine ist die wichtigste Platine im Computer und enthält in der Regel sämtliche Steckplätze für den Prozessor, den Arbeitsspeicher und die E/A-Funktionen (oder weist entsprechende Erweiterungssteckplätze auf).
Halbbyte:
Die Hälfte eines Byte mit 8 Bit, also 4 Bit.
IC (integrierte Schaltung):
Elektronische Schaltung auf einem Halbleiterchip. Die Schaltung besteht aus Komponenten und Anschlüssen. Halbleiterchips befinden sich in der Regel in einem Kunststoff- oder Keramikgehäuse und sind mit externen Anschlusspins ausgestattet.
Interleaving:
Techniken zur Erhöhung der Arbeitsspeichergeschwindigkeit. Bei Verwendung separater Speicherbänke für gerade und ungerade Adressen kann der Zugriff auf das nächste Byte im Arbeitsspeicher schon erfolgen, während das aktuelle Byte aktualisiert wird.
JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council):
Gremium in der EIA (Electronic Industries Alliance), das Normen für die Halbleitertechnik festlegt.
Kilobit:
Ungefähr eintausend Bit; ganz genau 1 Bit × 210 (1.024 Bit).
Kilobyte:
Ungefähr eintausend Byte; ganz genau 1 Byte × 210 (1.024 Byte).
Kartenspeicher:
Speicherart, die in der Regel bei Laptops und Notebooks verwendet wird. Kartenspeicher sind etwa so groß wie eine Scheckkarte.
L1-Cache:
Auch als primärer Speicher bezeichnet. Der L1-Cache ist ein kleiner Hochgeschwindigkeitsspeicher, der sich auf oder nahe dem Prozessor befindet. Der L1-Cache versorgt den Prozessor mit den am häufigsten verwendeten Daten und Anweisungen.
L2-Cache:
Auch als sekundärer Speicher bezeichnet. Der L1-Cache ist ein kleiner Hochgeschwindigkeitsspeicher, der sich nahe dem Prozessor befindet (in der Regel auf der Hauptplatine). Der L2-Cache versorgt den Prozessor mit den am häufigsten verwendeten Daten und Anweisungen. Abhängig von der jeweiligen Hauptplatine kann der L2-Cache ggf. aufgerüstet werden.
Leiterplatte:
Im Allgemeinen flache, mehrschichtige Glasfaser-Platinen mit elektrischen Pfaden. Auf der Oberfläche und den Zwischenschichten befinden sich Kupferbahnen, mit denen elektrische Verbindungen für Chips und andere Komponenten bereitgestellt werden. Beispiele für Leiterplatten: Hauptplatinen, SIMMs, Kartenspeicher.
Logikplatine:
Siehe "Hauptplatine".
Megabit:
Ungefähr eine Million Bit; ganz genau 1 Bit × 1.0242 (1.048.576 Bit).
Megabyte:
Am häufigsten verwendeter Begriff zur Beschreibung der Kapazität von Speichermodulen. Ungefähr eine Million Byte; ganz genau 1 Byte × 1.0242 (1.048.576 Byte).
MCH (Memory Controller Hub):
Schnittstelle zwischen dem Prozessor, dem AGP (Accelerated Graphics Port) und dem RDRAM auf Hauptplatinen, die mit einem Chipsatz 820 oder 840 von Intel ausgestattet sind.
MTH (Memory Translator Hub):
Schnittstelle, durch die der SDRAM-Speicher auf einem Direct Rambus-Kanal einer Hauptplatine unterstützt wird, die mit dem Chipsatz 820 von Intel ausgestattet ist.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module):
MicroDIMMs sind kleiner als SODIMMs und kommen hauptsächlich in Sub-Notebooks zum Einsatz. MicroDIMMs sind als 144-Pin-SDRAM und 172-Pin-DDR erhältlich.
Nanosekunde (ns):
Ein Milliardstel einer Sekunde. Die Zugriffsgeschwindigkeit beim Zugriff auf Daten im Arbeitsspeicher wird in Nanosekunden angegeben. Die Zugriffszeiten für typische 30-Pin- und 72-Pin-SIMM-Module liegen beispielsweise zwischen 60 und 100 Nanosekunden.
Non-Composite:
Ein Begriff von Apple Computer, Inc., für ein Speichermodul, das eine neuere Technologie nutzte und eine kleinere Anzahl von Chips (allerdings mit höherer Dichte) enthielt. Non-Composite-Module waren zuverlässiger und teurer als Composite-Module.
Parität:
Datenintegritätsprüfung, bei der jedem Byte an Daten je ein einzelnes Bit hinzugefügt wird. Das Paritätsbit dient dazu, Fehler in den anderen 8 Bit zu erkennen.
Puffer:
Bereich zur Zwischenlagerung von Daten, die gemeinsam von verschiedenen Geräten genutzt werden, die wiederum mit unterschiedlicher Geschwindigkeit arbeiten oder unterschiedliche Prioritäten besitzen. Mithilfe eines Puffers kann ein Gerät nahtlos arbeiten, ohne von Verzögerungen durch andere Geräte beeinflusst zu werden.
Pufferspeicher:
Speichermodul mit Puffern. Puffer leiten die Signale erneut durch die Speicherchips und ermöglichen die Aufnahme weiterer Speicherchips in das Modul. Es ist nicht möglich, gepufferten und ungepufferten Speicher zu mischen. Die Ausführung des Speicher-Controllers im Computer bestimmt, ob ein Speicher mit oder ohne Puffer notwendig ist.
PC-Karte (PCMCIA):
Personal Computer Memory Card International Association. Norm, mit der die Austauschbarkeit verschiedener Computing-Komponenten an einem bestimmten Anschluss realisiert wird. Die PCMCIA-Norm unterstützt Ein-/Ausgabegeräte, z. B. Speicher-, Fax-/Modem-, SCSI- und Netzwerkprodukte.
PCI (Peripheral Component Interconnect):
Peripheriebus, über den 32 oder 64 Bit Daten gleichzeitig gesendet werden können. PCI ist Plug & Play-fähig.
Pipeline-Burst-Cache:
Cache, der mithilfe von Pipeline- und Burst-Funktionen den Wartezustand verkürzt und den Speicherzugriff beschleunigt.
Pipelineverarbeitung:
Technik, bei der der Arbeitsspeicher die angeforderten Speicherinhalte in einen kleinen SRAM-Cache lädt und dann direkt damit beginnt, die nächsten Speicherinhalte abzurufen. So entsteht eine zweistufige Pipeline: In einer Stufe werden Daten aus dem SRAM gelesen bzw. in das SRAM geschrieben; in der anderen Stufe werden die Daten aus dem Arbeitsspeicher gelesen bzw. in den Arbeitsspeicher geschrieben.
Proprietärer Arbeitsspeicher:
Arbeitsspeicher, der speziell für einen bestimmten Computer entwickelt wurde.
RAM (Random-Access Memory):
Speicherzellenkonfiguration, die die Daten zur Verarbeitung durch eine Zentraleinheit (Prozessor) fasst. Die Bezeichnung "Random" bedeutet, dass der Prozessor die Daten von einer beliebigen Adresse im RAM abrufen kann. Siehe auch "Arbeitsspeicher".
Rambus:
- Rambus, Inc., entwickelt und lizenziert Hochleistungsspeicherlogik und Technologien für den Entwurf von Schaltkreisen. Die Lizenznehmer erhalten dabei Informationen zum Produktdesign und zum Layout sowie die Testergebnisse.
- Direct Rambus ist eine Hochgeschwindigkeits-Speichertechnologie, bei der Daten mit Geschwindigkeiten bis 800 MHz über einen schmalen 16-Bit-Bus (Rambus-Kanal) übertragen werden. Siehe "Rambus-Kanal".
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Rambus-Kanal
Datenweg von Rambus-Systemen. Aufgrund der geringen Bandbreite (zwei Byte) übertragen Rambus-Module die Daten mit Geschwindigkeiten von bis zu 800 MHz.
RAS:
Speicherchipsignal, bei dem die Zeilenadresse einer bestimmten Position in einer Zeilen/Spalten-Matrix verlinkt wird.
Registrierter Speicher:
SDRAM-Speicher, bei dem sich Register direkt auf dem Modul befinden. Die Register leiten die Signale erneut durch die Speicherchips und ermöglichen die Aufnahme weiterer Speicherchips in das Modul. Es ist nicht möglich, registrierten und ungepufferten Speicher zu mischen. Die Ausführung des Speicher-Controllers im Computer bestimmt den Typ des notwendigen Speichers.
RIMMTM :
Durch eingetragenes Warenzeichen geschützter Name eines Direct Rambus-Speichermoduls. Ein RIMMTM entspricht der DIMM-Bauform und überträgt 16 Bit an Daten gleichzeitig.
RIMM Connector:
Direct Rambus-Speichersteckplatz.
SDRAM (Synchronous DRAM):
DRAM-Technologie, bei der der Signalein- und -ausgang auf einem Speicherchip mithilfe eines Taktsignals synchronisiert wird. Das Taktsignal ist auf den Prozessortakt abgestimmt. Die Zeitsteuerung der Speicherchips und die Zeitsteuerung des Prozessors sind daher synchron. Durch synchrones DRAM wird Zeit beim Ausführen von Befehlen und beim Übertragen von Daten eingespart, so dass die Gesamtleistung des Computers steigt. Mit SDRAM kann der Prozessor um 25 Prozent schneller auf den Arbeitsspeicher zugreifen als mit EDO-Speicher.
Speicher:
Arbeitsspeicher eines Computers. Der Arbeitsspeicher fasst vorübergehend die Daten und Anweisungen für den Prozessor auf. Siehe "Arbeitsspeicher".
Speicherbank:
Logische Arbeitsspeicher-Einheit im Computer, deren Größe durch den Prozessor bestimmt wird. Für einen 32-Bit-Prozessor sind beispielsweise Speicherbänke erforderlich, die 32 Bit an Daten gleichzeitig bereitstellen. Eine Bank kann ein oder mehrere Speichermodule umfassen.
Selbstaktualisierung:
Speichertechnologie, mit der sich DRAM selbsttätig und unabhängig vom Prozessor und von externen Aktualisierungsschaltungen aktualisieren kann. Die Selbstaktualisierungstechnologie ist in den DRAM-Chip selbst integriert und sorgt für eine beträchtliche Senkung des Stromverbrauchs. Diese Technologie wird in Notebooks und Laptops eingesetzt.
SPD (Serial Presence Detect):
EEPROM-Chip, der Informationen zur Größe und Geschwindigkeit sowie weitere technische Daten und Angaben zum Hersteller eines Speichermoduls enthält.
SGRAM (Synchronous Graphics Random-Access Memory):
Videospeicher mit grafikspezifischen Schreib-/Lesefunktionen. Mit SGRAM können Daten blockweise abgerufen und bearbeitet werden. Durch die Blockbildung sinkt die Anzahl der Schreib-/Lesevorgänge, die im Speicher ausgeführt werden müssen, so dass die Leistung des Grafikcontrollers steigt.
SIMM (Single In-line Memory Module):
Leiterplatte mit Speicherbausteinen und Gold- bzw. Zinn-/Blei-Kontakten. Ein SIMM wird in den Speichererweiterungssteckplatz eines Computers eingesteckt. SIMMs bieten zwei wichtige Vorteile: unkomplizierter Einbau und minimaler Platzbedarf auf der Leiterplatte. Ein vertikal eingebauter SIMM belegt nur einen Bruchteil des Platzes, den ein horizontal eingebautes DRAM benötigt. Ein SIMM kann zwischen 30 und 200 Pins aufweisen. Bei einem SIMM sind die Metallleitungen auf beiden Seiten elektrisch miteinander verbunden.
SIMM-Steckplatz:
Komponente auf der Platine, die ein einzelnes SIMM fasst.
Single-Banked:
Modul mit nur einer Bank oder Zeile.
SLDRAM (Synclink):
SLDRAM war eine Arbeitsspeichertechnologie, die von einem Konsortium aus zwölf DRAM-Herstellern als Alternative zur Direct Rambus-Technologie entwickelt wurde. SLDRAM ist heutzutage veraltet.
SmartCard:
Elektronisches Element, etwa so groß wie eine Scheckkarte, auf dem Daten und Programme gespeichert werden können, während gleichzeitig die Sicherheit erhöht wird. Einsatzgebiete: Identifizierung, Massenübertragungen, Bankgeschäfte.
SO DIMM (Small-Outline Dual In-line Memory Module):
Erweiterte Version eines Standard-DIMMs. Ein Small-Outline-DIMM mit 72 Pins ist etwa halb so lang wie ein SIMM mit 72 Pins. SO DIMMs mit 144 und 200 Pins sind derzeit die gebräuchlichsten Speichermodule.
SO-RIMMTM :
Durch eingetragenes Warenzeichen geschützter Name eines Direct Rambus-Speichermoduls in Notebooks. SO-RIMMs liefern eine vergleichbare Speicherbandbreite wie bei Desktop-Speicherkonfigurationen.
SOJ (Small-Outline J-lead):
Häufige Form von DRAM-Packaging mit Oberflächenmontage. Ein SOJ ist ein rechteckiges Package mit J-förmigen Leitungen an den beiden Längsseiten.
SRAM (Statisches RAM):
Speicherchip, bei dem die Inhalte nur bei eingeschalteter Stromversorgung erhalten bleiben. SRAM ist schneller als DRAM, jedoch teurer und sperrig. SRAM wird häufig als Cache-Speicher eingesetzt.
Speicher:
Vorrichtung zum Fassen von Daten, z. B. eine Festplatte oder eine CD-ROM.
Systemplatine:
Siehe "Hauptplatine".
TSOP (Thin Small-Outline Package):
DRAM-Package mit Flügelleitungen an beiden Seiten. TSOP-DRAM wird direkt auf die Oberfläche der Leiterplatte aufgesetzt. Das TSOP-Package ist nur ein Drittel so dick wie ein SOJ. TSOP-Komponenten werden häufig bei Small-Outline-DIMMs und Kartenspeicher verwendet.
Übertragungsleitungstechnologie:
Technologie, die den Backside Bus in Direct Rambus-Systemen unterstützt. Die Daten werden rasch in gleichzeitig verwendeten Paketen durch die Pipeline geschickt. Der Speicher-Controller setzt die Pakete für die Übertragung per Frontside Bus und die Weitergabe an den Prozessor wieder zusammen.
Ungepufferter Speicher:
Speicher, bei dem das Modul keine Puffer oder Register enthält. Diese Vorrichtungen befinden sich stattdessen auf der Hauptplatine.
Ungerade Parität:
Datenintegritätsprüfung, bei der mit dem Paritäts-Bit überprüft wird, ob eine ungerade Anzahl von Einsen vorliegt.
µBGA (Micro BGA):
Chip-Packaging-Methode, die für eine kleinere Package-Größe, eine bessere Wärmeableitung und eine größere Moduldichte sorgt.
VL-Bus (VESA Local Bus):
Lokaler 32-Bit-Bus, der zwischen dem Prozessor und den Peripheriegeräten verläuft und Geschwindigkeiten bis 40 MHz bietet.
VCM (Virtual Channel Memory):
VCM ist eine von NEC entwickelte Speicherarchitektur. Bei VCM sind verschiedene Speicherblöcke möglich (jeweils mit einem eigenen Puffer), die separat mit dem Controller verbunden sind. Auf diese Weise können den Systemaufgaben eigene virtuelle Kanäle zugewiesen werden. Die Daten für eine bestimmte Funktion belegen keinen Pufferplatz anderer Aufgaben, die gleichzeitig ausgeführt werden. So werden die Gesamtabläufe deutlich effizienter.
Virtueller Speicher:
Simulierter Speicher. Sobald der Arbeitsspeicher vollständig belegt ist, lagert der Computer die Daten bei Bedarf auf die Festplatte aus und wieder zurück. Siehe auch "Auslagerung"
VRAM (Video Random-Access Memory):
Dual-Port-Speicher (zwei separate Datenanschlüsse), in der Regel auf einer Video- oder Grafikkarte. Ein Anschluss ist dem CRT vorbehalten; hiermit wird das Bild aktualisiert. Der zweite Anschluss ist für den Prozessor oder Grafikcontroller bestimmt; hiermit werden die Bilddaten im Speicher geändert.
Wartezustand:
Zeitraum der Inaktivität für den Prozessor. Ein Wartezustand entsteht durch die unterschiedlichen Taktfrequenzen von Prozessor und Speicher; die Taktfrequenz des Speichers ist in der Regel niedriger.
Wärmeverteiler:
Ummantelung, in der Regel aus Aluminium, die ein elektronisches Element umhüllt und die Wärme ableitet.
Wärmeableiter:
Komponente, in der Regel aus einer Zinklegierung, die die Wärme ableitet. Wärmeableiter sind für Prozessoren notwendig.
WRAM (Window Random Access Memory):
Dual-Port-Speicher (zwei separate Datenanschlüsse) von Samsung Electronics, in der Regel auf einer Video- oder Grafikkarte. WRAM bietet eine um 25 % höhere Bandbreite als VRAM und ist dabei preisgünstiger.
Zugriffsgeschwindigkei:
Durchschnittliche Zeit (in Nanosekunden), in denen der Arbeitsspeicher einen Zugriffsvorgang abarbeitet. Die Zugriffsgeschwindigkeit besteht aus der Adresseinrichtungszeit und der Latenz (benötigte Zeit, um eine Datenanfrage einzuleiten und den Zugriff vorzubereiten).
