AGP (Accelerated Graphics Port, porta grafica accelerata):
Interfaccia sviluppata da Intel che consente grafica ad alta velocità. I dati grafici si spostano direttamente tra il controller grafico del PC e la memoria di sistema senza dover essere memorizzati nella cache nella memoria video.
ANSI (American National Standards Institute):
Organizzazione statunitense che stabilisce gli standard dell'Information Technology.
Architettura di pipeline:
Tecnica che consente alla memoria di caricare i contenuti di memoria richiesti in una piccola cache formata dalla SRAM e di passare immediatamente a caricare i dati di memoria successivi. In questo modo, si crea un'architettura pipeline a due fasi: nella prima fase i dati vengono letti o scritti sulla SRAM, nella seconda i dati vengono letti o scritti sulla memoria.
ASCII (American Standard Code for Information Interchange):
Metodo di codifica del testo in valori binari. Il sistema di codifica ASCII utilizza 256 combinazioni di numeri binari a 7 o 8 bit per creare ogni possibile simbolo della tastiera.
Banco di memoria:
Unità logica di memoria del computer, la cui capacità è determinata dalla CPU stessa. Ad esempio, una CPU a 32 bit richiede banchi di memoria che forniscano 32 bit di dati per volta. Un banco può essere formato da uno o più moduli di memoria.
Backside Bus (BSB):
Percorso dati dalla CPU alla cache L2.
Bus di memoria:
Bus tra la CPU e gli slot di espansione della memoria.
Banco:
Vedere banco di memoria.
Base Rambus:
Prima generazione di tecnologia Rambus, prodotta per la prima volta nel 1995.
BGA (Ball Grid Array):
Package del chip con sfere di saldatura poste sul lato inferiore per il montaggio. Il BGA consente una riduzione della dimensione del pacchetto die, una migliore dissipazione del calore e superiori densità di modulo.
BIOS (Basic Input-Output System):
Avvia le routine che inizializzano le attività del computer.
Bus frontside (FSB):
Percorso dati tra la CPU e la memoria principale (RAM).
Bit:
La più piccola unità di dati che un computer è in grado di elaborare. Un bit può assumere solo i valori 1 o 0.
Buffer:
Area di immagazzinamento di dati condivisi tra periferiche con velocità di funzionamento eterogenee o con priorità diverse. Un buffer consente a una periferica di funzionare senza dover aspettare l'esecuzione di attività di altre periferiche più lente.
Burst EDO RAM (BEDO):
Memoria EDO in grado di elaborare quattro indirizzi di memoria in un burst. La velocità del bus va da 50 a 66 MHz (in confronto ai 33 MHz per EDO e ai 25 MHz per la modalità Fast Page Mode).
Bus:
Percorso dati di un computer formato da più cavi paralleli che collegano la CPU, la memoria e tutte le periferiche input/output (I/O).
Byte:
Unità pari a otto bit. Il byte è l'unità principale di elaborazione del computer; quasi tutte le specifiche e i metodi di misurazione delle prestazioni di un PC sono indicati in byte o suoi multipli. Vedere kilobyte e megabyte.
Ciclo del bus:
Singola transazione tra la memoria principale e la CPU.
Connettore RIMM:
Socket di memoria Direct Rambus.
CAS (Column Address Strobe):
Segnale del chip di memoria che fissa l'indirizzo della colonna di una determinata posizione in una matrice riga-colonna.
ccNUMA (Cache-Coherent, Non-uniform Memory Access):
Architettura flessibile che utilizza componenti modulari a basso costo e offre un potenziale di scalabilità multidimensionale ai server di livello avanzato.
Chipset:
Microchip che supporta la CPU. Generalmente il chipset contiene diversi controller che gestiscono il passaggio delle informazioni tra il processore e gli altri componenti.
Chip Scale Package (CSP):
Sottile package di chip nel quale i collegamenti elettrici avvengono solitamente attraverso un BGA (Ball Grid Array). Il package CSP viene utilizzato nella memoria RDRAM e Flash.
CompactFlash:
Form factor piccolo e leggero per schede di memoria di massa rimovibili. Le schede CompactFlash durano a lungo, funzionano a bassa tensione e conservano in memoria i dati quando il sistema è spento. Possono essere utilizzate con fotocamere digitali, cellulari, stampanti, palmari, cercapersone e registratori.
Composito:
Termine coniato da Apple Computer, Inc.; si riferisce ai moduli di memoria che usano vecchie tecnologie e contengono un numero di chip superiore, ma di densità più bassa.
Concurrent Rambus:
Seconda generazione di tecnologia Rambus. Concurrent Rambus è stato utilizzato con computer basati su grafica, TV digitali e applicazioni per videogiochi (ad esempio, Nintendo 64 dal 1997).
C-RIMM (Continuity RIMM):
Modulo di memoria Direct Rambus che non contiene chip di memoria. La C-RIMM fornisce un canale continuo per il segnale. In un sistema Direct Rambus, i connettori aperti devono essere utilizzati solo con le C-RIMM.
CPU (Central Processing Unit):
Chip che in un computer ha la principale responsabilità di interpretare comandi e gestire programmi. La CPU è anche nota come processore o microprocessore.
Cache di livello 1 (L1):
Chiamata anche cache principale, la cache L1 è una piccola memoria ad alta velocità che risiede sul processore o nelle immediate vicinanze. La cache L1 fornisce al processore i dati e le istruzioni utilizzati con maggiore frequenza.
Cache di livello 2 (L2):
Chiamata anche cache secondaria, la cache L2 è una memoria di piccole dimensioni ad alta velocità che risiede vicino la CPU, generalmente sulla scheda madre. La cache L2 fornisce al processore i dati e le istruzioni utilizzati con maggiore frequenza. Se la scheda madre lo consente, la cache di livello 2 può essere aggiornata.
DIMM (Dual In-line Memory Module):
Circuito stampato con contatti dorati e dispositivi di memoria. DIMM e SIMM sono molto simili, tranne che per un'evidente differenza: i contatti sui due lati di una SIMM sono uniti elettricamente, mentre nella DIMM essi sono isolati e costituiscono contatti elettrici indipendenti.
Direct Rambus:
Terza generazione di tecnologia Rambus che offre un'architettura DRAM completamente diversa per PC ad alte prestazioni. I dati vengono trasferiti con velocità che raggiungono gli 800 MHz su canali stretti a 16 bit contro la SDRAM attuale che raggiunge i 100 MHz su un bus a 64 bit.
Diffusore di calore:
Guaina, generalmente di alluminio, che copre un dispositivo elettronico e dissipa il calore.
Dissipatore di calore:
Componente, generalmente in lega di zinco, che dissipa il calore. Le CPU richiedono i dissipatori di calore.
DIP (Dual In-line Package):
Package di un componente della DRAM. I DIP possono essere installati in socket o saldati in modo definitivo nei fori del circuito stampato. Il package DIP era molto popolare quando la memoria veniva installata direttamente sulla scheda madre.
DRAM (Dynamic Random-Access Memory):
Forma più diffusa di RAM. La DRAM può memorizzare i dati solo per un breve periodo di tempo, quindi, per mantenerli, le celle della DRAM devono essere periodicamente aggiornate. In caso contrario, i dati vanno persi.
Dual Bank (Doppio banco):
Modulo di memoria con due banchi.
Dual Channel (Doppio canale):
Basati su design della scheda di sistema a doppio canale, i moduli di memoria vengono installati su due canali separati, ciascuno con il proprio percorso di accesso al controller della memoria. Il design doppio del canale di memoria consente di raddoppiare la larghezza di banda massima dei singoli canali di memoria. I migliori risultati si ottengono quando viene utilizzato un kit di memoria a coppie in modo da garantire che i moduli siano identici.
Dual Independent Bus (DIB):
Architettura bus sviluppata da Intel che offre una larghezza di banda maggiore utilizzando due bus separati (frontside e backside) per l'accesso al processore. I computer Pentium II sono dotati di DIB.
ECC (Error Correction Code):
Metodo per la verifica dell'integrità dei dati nella DRAM. L’ECC è un metodo di verifica più complesso rispetto al semplice controllo di parità: riesce a individuare errori di più bit e a localizzare e correggere gli errori di un singolo bit.
EDO (Extended Data-Out):
Tecnologia DRAM che riduce il ciclo di lettura tra memoria e CPU. Sui computer che la supportano, la memoria EDO consente di accedere ai dati contenuti in memoria dal 10 al 20% più velocemente rispetto alla modalità FPM (Fast Page Mode).
EDRAM (Enhanced DRAM):
DRAM di Enhanced Memory Systems, Inc. contenente una piccola memoria SRAM.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory):
Chip di memoria che conserva il contenuto dei dati anche quando il sistema viene spento. La EEPROM può essere cancellata e riprogrammata sia dall'interno che dall'esterno del computer.
EISA (Extended ISA):
Architettura bus che ha permesso di estendere il bus ISA da 16 a 32 bit. EISA raggiunge gli 8 MHz e dispone di una velocità di trasferimento massima di 33 MB al secondo. Questa architettura è stata introdotta nel 1988 come alternativa al bus Micro Channel di proprietà di IBM.
EOS (ECC su SIMM):
Tecnologia di verifica dell'integrità dei dati progettata da IBM caratterizzata dal controllo ECC su SIMM.
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory):
Chip programmabile e riutilizzabile che conserva i contenuti finché questi non vengono cancellati con luce ultravioletta. Per cancellare e riprogrammare le EPROM è necessario disporre di una speciale apparecchiatura.
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM):
Tipo di SDRAM sviluppato da Enhanced Memory Systems, Inc., la ESDRAM sostituisce la costosa SRAM nei sistemi incorporati, fornendo una velocità analoga con minori consumi energetici e a prezzi più ridotti.
FCRAM (Fast Cycle RAM):
FCRAM è una tecnologia di memoria sviluppata di recente da Toshiba e Fujitsu. FCRAM non è adatta alle memorie principali dei PC ma viene utilizzata in applicazioni speciali, quali server ad alte prestazioni, stampanti e sistemi di switching per le telecomunicazioni.
Form factor:
Dimensioni, configurazione e altre specifiche utilizzate per descrivere l'hardware. Esempi di form factor di memoria sono: SIMM, DIMM, RIMM, 30 pin, 72 pin e 168 pin.
Gigabit:
Approssimativamente 1 miliardo di bit: 1 bit x 1.024 3 (1.073.741.824) bit.
Gigabyte:
Approssimativamente 1 miliardo di byte: 1 byte x 1.024 3 (1.073.741.824) byte.
IC (Integrated Circuit, Circuito integrato):
Circuito elettronico contenuto in un chip semiconduttore. Il circuito include componenti e connettori. Un chip semiconduttore è generalmente inserito in un contenitore di plastica o di ceramica ed è dotato di pin di connessione esterni.
Interfoliazione:
Tecniche per aumentare la velocità della memoria. Ad esempio, con banchi di memoria separati per indirizzi pari e dispari è possibile accedere al byte di memoria successivo mentre il byte corrente viene aggiornato.
JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council):
Ente dell'EIA (Electronic Industries Alliance) che stabilisce gli standard per la progettazione dei semiconduttori.
Kilobit:
Approssimativamente 1.000 bit: 1 bit x 210 (1.024) bit.
Kilobyte:
Approssimativamente 1.000 byte: 1 byte x 210 (1.024) byte.
Larghezza di banda:
Misura che indica la quantità di dati al secondo che può spostarsi su linee elettroniche, ad esempio un bus. Viene generalmente espressa in bit al secondo, byte al secondo o cicli al secondo (Hertz).
Latenza CAS:
Rapporto tra il tempo per l'accesso alla colonna e il tempo impiegato per il ciclo di clock. La latenza CAS 2 (CL2) consente prestazioni leggermente migliori rispetto alla latenza CAS 3 (CL3).
Megabit:
Approssimativamente un milione di bit: 1 bit x 1.0242 (1.048.576) bit.
Megabyte:
Termine comune per denotare la capacità di un modulo di memoria. Un megabyte è approssimativamente pari a un milione di byte: 1 byte x 1.0242 (1.048.576) byte.
Memoria:
Memoria ad accesso casuale (RAM) del computer. Questa memoria mantiene temporaneamente i dati e le istruzioni per la CPU. Vedere RAM.
Modalità FPM (Fast Page Mode):
Una delle prime forme di DRAM, FPM offriva un accesso più veloce ai dati della stessa riga rispetto alle altre tecnologie di memoria Page Mode.
Memoria di massa:
Dispositivo per la memorizzazione dei dati, ad esempio un disco fisso o un CD-ROM.
Memoria Flash:
Memoria a stato solido, non volatile e riscrivibile che funziona come una combinazione di RAM e disco fisso. Le memorie Flash durano a lungo, funzionano a bassa tensione e conservano in memoria i dati quando il sistema è spento. Le schede di memoria Flash vengono utilizzate con fotocamere digitali, cellulari, stampanti, palmari, cercapersone e registratori.
Modalità Burst (Burst Mode):
Trasmissione ad alta velocità di un blocco di dati (una serie di indirizzi consecutivi) quando il processore richiede un indirizzo singolo.
Memoria registrata:
Memoria SDRAM che contiene i registri direttamente sul modulo. I registri reindirizzano i segnali attraverso i chip di memoria e consentono di costruire il modulo con più chip di memoria. Non è possibile utilizzare insieme le memorie registrate e senza buffer. Il tipo di memoria del computer deve essere scelta in base alle caratteristiche del controller di memoria del computer.
Memoria cache:
Piccolo dispositivo di memoria ad alta velocità (di solito inferiore a 1 MB) residente sulla CPU o nelle immediate vicinanze. La memoria cache è progettata per fornire al processore le istruzioni e i dati utilizzati con maggiore frequenza. La cache di primo livello (cache principale) è la più vicina al processore. La cache di secondo livello (cache secondaria) viene subito dopo la cache di primo livello e di solito si trova sulla scheda madre.
Memoria buffer:
Modulo di memoria contenente buffer. I buffer reindirizzano i segnali mediante i chip di memoria e consentono al modulo di includere più chip di memoria. Non è possibile utilizzare contemporaneamente le memorie con e senza buffer. Le caratteristiche del controller di memoria del computer impongono l'utilizzo di una delle due memorie.
Memoria credit card:
Tipo di memoria comunemente usato in computer laptop e notebook. Come suggerisce il nome, questo tipo di memoria ha dimensioni molto ridotte, analoghe a quelle di una carta di credito.
Memory Controller Hub (MCH):
Interfaccia tra processore, AGP (Accelerated Graphics Port) e RDRAM sulle schede madre che utilizzano i chipset Intel 820 o 840.
Memory Translator Hub (MTH):
Interfaccia che consente il supporto di una memoria SDRAM su un Direct Rambus Channel per schede madre che utilizzano chipset Intel 820.
Micro BGA (µBGA):
Tecnica per il package di chip BGA di Tessera, Inc. che consente la riduzione delle dimensioni del pacchetto die, una migliore dissipazione del calore e maggiori densità del modulo.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module):
Più piccole di una SODIMM, le MicroDIMM vengono utilizzate principalmente sui computer subnotebook. Le MicroDIMM sono disponibili in SDRAM a 144 pin e DDR a 172 pin.
Nanosecondo (ns):
Un miliardesimo di secondo. I tempi di accesso ai dati in memoria sono misurati in nanosecondi. Ad esempio, i tempi di accesso alla memoria per i comuni moduli SIMM a 30 e 72 pin possono variare da 60 a 100 nanosecondi.
Nibble (quattro bit):
Metà di un byte di 8 bit: 4 bit.
Non composito:
Termine coniato da Apple Computer, Inc.: si riferisce a un modulo di memoria che utilizza tecnologia recente e contiene un numero di chip minore, ma di densità più alta. I moduli non compositi sono più affidabili, ma anche più costosi dei moduli compositi.
Parità:
Verifica dell'integrità dei dati che aggiunge un singolo bit a ciascun byte di dati. Il bit di parità viene utilizzato per rilevare gli errori negli altri 8 bit.
Parità dispari:
Tipo di verifica dell'integrità dei dati in cui il bit di parità controlla la presenza di un numero dispari di "1".
Parità pari:
Tipo di verifica dell'integrità dei dati in cui il bit di parità verifica la presenza di un numero pari di "1".
PCB (Printed Circuit Board, Circuito stampato):
Schede generalmente piatte e multistrato realizzate in fibra di vetro con tracce elettriche. La superficie e i sottostrati sono dotati di tracce in rame per le connessioni elettriche di chip e altri componenti. Alcuni esempi di PCB sono: schede madri, SIMM e memorie credit card.
PCI (Peripheral Component Interconnect):
Bus per le periferiche in grado di inviare simultaneamente dati a 32 o 64 bit. Il bus PCI fornisce funzioni di plug and play.
Pipeline Burst Cache (Cache sincrona):
Cache che consente di ridurre gli stati di attesa e velocizza l'accesso alla memoria utilizzando funzioni di pipeline e di burst.
RAM (Random Access Memory, Memoria ad accesso casuale):
Configurazione di celle di memoria che consente di immagazzinare i dati per la successiva elaborazione della CPU (Central processing unit). Il termine "random" (casuale) si riferisce al fatto che la CPU può richiamare i dati da qualsiasi indirizzo presente nella RAM. Vedere anche Memoria.
Rambus:
- Rambus, Inc. sviluppa e brevetta tecnologie ad alte prestazioni per la progettazione di circuiti e di memoria. Inoltre, fornisce informazioni relative ai design dei prodotti, al layout e alle verifiche effettuate.
- Direct Rambus è una tecnologia di memoria ad alta velocità che utilizza un bus a 16 bit (Canale Rambus) per trasmettere dati a velocità superiori agli 800 MHz. Vedere Rambus Channel (Canale Rambus).
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Rambus Channel (Canale Rambus):
Percorso dati dei sistemi Rambus. Grazie alla ridotta larghezza dei dati (due byte), i moduli Rambus trasferiscono i dati con velocità superiore a 800 MHz.
RAS:
Segnale del chip di memoria che fissa l'indirizzo della riga di una determinata posizione in una matrice riga-colonna.
Refresh (Aggiornamento):
Processo utilizzato per mantenere i dati nella DRAM. Il processo di aggiornamento delle celle elettriche su un componente della DRAM è analogo al processo di ricarica delle batterie. Diversi componenti della DRAM richiedono metodi di refresh differenti.
Refresh Rate (Velocità di aggiornamento):
Numero di righe dei componenti della DRAM da aggiornare. Le velocità di aggiornamento più comuni sono 2K, 4K e 8K.
RIMMTM :
Marchio registrato per il modulo di memoria Direct Rambus. Un RIMMTM è conforme al form factor DIMM e può trasferire i dati con una velocità di 16 bit.
SDRAM (Synchronous DRAM):
Tecnologia DRAM con clock per la sincronizzazione delle operazioni di input e output del segnale su un chip di memoria. Il clock è coordinato con il clock della CPU in modo che i tempi dei chip di memoria e quelli della CPU siano sincronizzati. La DRAM sincrona consente di risparmiare tempo nell'esecuzione dei comandi e nella trasmissione dei dati, ottimizzando in tal modo le prestazioni del computer. Gli accessi della CPU alla SDRAM sono in media più veloci di circa il 25% rispetto a una memoria EDO.
Scheda PC (PCMCIA):
Personal Computer Memory Card International Association. Standard che consente l'intercambiabilità di diversi componenti informatici su uno stesso connettore. Lo standard PCMCIA supporta i dispositivi di input-output, incluse memorie, fax/modem, SCSI e prodotti di rete.
Scheda madre:
Chiamata anche scheda logica, scheda principale o scheda del computer, la scheda madre è la scheda principale del PC che, generalmente, contiene tutte le funzioni relative a CPU, memoria e I/O oppure dispone di slot di espansione su cui possono essere installate.
Scheda logica :
Vedere Scheda madre.
SDRAM DDR (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM, RAM dinamica sincrona a doppia velocità di trasmissione dei dati)
Ultima generazione di tecnologia SDRAM. La lettura dei dati avviene su entrambi i fronti (salita e discesa) del segnale di clock e la larghezza di banda risulta almeno doppia rispetto alla SDRAM standard. La SDRAM DDR ha permesso di raddoppiare la velocità della memoria senza aumentare la frequenza del segnale di clock.
Sistema binario:
Sistema numerico che utilizza combinazioni di 0 e 1 per rappresentare i dati. Anche noto come Base 2.
Schema a banchi:
Metodo per rappresentare graficamente la configurazione della memoria. Lo schema a banchi è composto da righe e/o colonne che rappresentano i socket di memoria in una scheda del computer. Le righe indicano socket indipendenti, le colonne rappresentano i banchi.
Self Refresh (Aggiornamento automatico):
Tecnologia della memoria che consente l'aggiornamento automatico della DRAM, indipendentemente dalla CPU o dal circuito di aggiornamento esterno. Questa tecnologia è integrata nel chip della DRAM e riduce in modo notevole i consumi energetici. Viene usata comunemente nei computer notebook e laptop.
Serial Presence Detect:
Chip di EEPROM contenente informazioni relative a dimensioni e velocità, oltre ad altre informazioni su specifiche e dati del produttore dei moduli di memoria.
SGRAM (Synchronous Graphics Random-Access Memory):
Memoria video che include funzioni di lettura/scrittura specifiche per la grafica. La SGRAM consente di recuperare e modificare i dati in blocco anziché singolarmente. Questa funzione riduce il numero di processi di lettura/scrittura eseguiti dalla memoria e migliora le prestazioni del controller grafico
SIMM (Single In-line Memory Module):
Circuito stampato con dispositivi di memoria e contatti dorati o in stagno/piombo. La SIMM viene collegata a un socket di espansione della memoria del computer. Le SIMM offrono due vantaggi principali: facilità di installazione e deterioramento minimo della superficie della scheda. Una SIMM montata verticalmente richiede molto meno spazio rispetto a una DRAM, che richiede un'installazione orizzontale. Inoltre, può disporre di un numero di pin da 30 a 200. Su una SIMM, i contatti in metallo che si trovano su entrambi i lati della scheda sono uniti elettricamente.
Socket SIMM:
Componente della scheda madre su cui è alloggiata una singola SIMM.
Single Bank (banco singolo):
Modulo con un banco o una riga singola.
SLDRAM (Synclink):
Sebbene obsoleta ai giorni nostri, la SLDRAM è stata la principale tecnologia di memoria presentata da un consorzio di dodici produttori di DRAM come alternativa alla tecnologia Direct Rambus
SMART CARD:
Dispositivo elettronico, di dimensioni simili a una carta di credito, in grado di immagazzinare dati e programmi e garantire allo stesso tempo un maggior livello di protezione. Alcune applicazioni della smart card sono i sistemi di identificazione, le transizioni di massa e le operazioni bancarie.
SO DIMM (Small-Outline Dual In-line Memory Module):
Versione aggiornata dello standard DIMM. Il modulo SO DIMM è lungo circa la metà rispetto un tipico SIMM a 72 pin.Oggigiorno, i moduli SO DIMM più comuni sono a 144 e 200 pin.
SO-RIMMTM :
Marchio registrato del modulo di memoria Direct Rambus per i notebook. I SO-RIMM forniscono una larghezza di banda della memoria paragonabile alle configurazioni di memoria per computer desktop.
SOJ (Small-Outline J-lead):
Forma comune di package a montaggio superficiale per la DRAM. È di forma rettangolare con contatti a forma di J sui due lati più lunghi.
Static RAM (SRAM):
Chip di memoria che richiede alimentazione per richiamare i contenuti. La SRAM è più veloce della DRAM, ma più costosa e ingombrante. Un utilizzo tipico della SRAM è la memoria cache.
Swapping (Spostamento):
Utilizzo di una parte del disco fisso come memoria quando la RAM è piena. Vedere Memoria virtuale.
Scheda di sistema:
Vedere Scheda madre.
Transmission Line Technology:
Tecnologia che supporta il bus backside nei sistemi Direct Rambus. Le informazioni vengono inviate simultaneamente in pacchetti. Il controller di memoria riassembla i pacchetti per il trasferimento tramite bus frontside e per la comunicazione con il processore.
Tempo di accesso:
Tempo medio (in nanosecondi) della RAM per completare l'accesso. Il tempo di accesso è formato dal tempo di configurazione dell'indirizzo e dalla latenza (tempo necessario per inizializzare una richiesta di dati e preparare l'accesso).
TSOP (Thin Small-Outline Package):
Package della DRAM che utilizza contatti a forma di ala su entrambi i lati. Le DRAM di tipo TSOP vengono installate direttamente sulla superficie del circuito stampato. Il package TSOP è spesso solo un terzo rispetto al tipo SOJ. I componenti TSOP sono comunemente usati nelle SO-DIMM e nelle memorie credit card.
Unbuffered Memory (Memoria senza buffer):
Memoria che non contiene buffer o registri posizionati sul modulo, ma sulla scheda madre
VESA Local Bus (VL-Bus):
Bus locale a 32 bit che collega CPU e dispositivi periferici con una velocità massima di 40 MHz.
Virtual Channel Memory (VCM):
Architettura di memoria sviluppata da NEC. La VCM permette a diversi blocchi di memoria (ciascuno con il proprio buffer) di interfacciarsi separatamente con il controller. In questo modo, alle attività di sistema possono essere assegnati dei canali virtuali dedicati. Le informazioni relative a una funzione non occupano lo spazio del buffer in comune con le altre attività eseguite in contemporanea, ottimizzando così le prestazioni complessive.
Virtual memory (Memoria virtuale):
Simulated memory (Memoria simulata). Se la RAM è piena, il computer sposta i dati tra disco fisso e RAM in base alla necessità del momento. Vedere Swapping (Spostamento)
VRAM (Video Random-Access Memory):
Memoria a doppia porta (con due porte per i dati separate) che si trova generalmente su schede video o grafiche. Una porta è dedicata al CRT e alle funzioni di aggiornamento dell'immagine. La seconda porta è dedicata alla CPU o al controller grafico e consente di modificare i dati dell'immagine presenti in memoria.
Wait State (Stato di attesa):
Periodo di inattività del processore. Gli stati di attesa dipendono dalla differenza tra la velocità del clock del processore e della memoria (solitamente più lenta).
Window Random Access Memory (WRAM):
Memoria a doppia porta (con due porte per i dati separate) di Samsung Electronics che si trova generalmente su schede video o grafiche. La WRAM dispone di una lunghezza di banda maggiore del 25% rispetto alla VRAM, ma ha costi inferiori.
